Produkt-Neuheit

Beim Trennen und Abtragen von Silizium-Wafern, insbesondere großen 12“-Wafern, ist höchste Präzision mit kleinsten Konturen auf einer ausgedehnten Fläche gefragt. Die klassische mechanische Methode des Wafer Dicing stößt hierbei an ihre Grenzen, da sie die Anforderungen an Feinheit und Präzision nicht erfüllen kann. Genau hier punktet der Einsatz der UKP-Lasertechnologie mit einem Spektralbereich von typischerweise 1µm in der Bearbeitung von Silizium.

Vorteile der UKP-Laserbearbeitung bei Silizium-Wafern:
Die Verwendung von Ultrakurzpulslasern im genannten Spektralbereich ermöglicht eine außerordentlich feine und präzise Bearbeitung von Silizium-Wafern. Diese innovative Technologie erzeugt selbst auf großen Flächen hochkomplexe Strukturen mit höchster Genauigkeit, was für Anwendungen in der Halbleiterindustrie von entscheidender Bedeutung ist. Durch den Verzicht auf mechanische Bearbeitungsschritte des Wafer Dicings und stattdessen den gezielten Einsatz der UKP-Lasertechnologie mit 1µm Wellenlänge wird der Silizium-Wafer keinem mechanischen Stress mehr ausgesetzt und damit potenzielle Schäden wie Ausplatzer und Risse im Material vermieden. Der Vorteil der UKP-Lasertechnologie liegt in den extrem kurzen Pulsen, bei denen es zu keinem thermischen Eintrag und damit keinerlei Schädigung des Materials kommt. Zudem weist die Bearbeitung mit dem UKP-Laser eine geringere Schnittfugenbreite auf, was zu weniger Schnittfugenverlust und damit im Vergleich zum Wafer-Dicing zu einer höheren Ausbeute an Chips pro Wafer führt. Dies resultiert in einer effizienteren Nutzung des Wafer-Materials und trägt zu Kosteneinsparungen bei. Das Verfahren zeichnet sich weiterhin durch eine hohe Geschwindigkeit aus, was im Prozess zu deutlich kürzeren Bearbeitungszeiten führt und somit die Produktivität steigert. Zwei weitere entscheidende Vorteile gegenüber dem bisherigen mechanischen Verfahren sind die geringere Notwendigkeit von Nachbearbeitungsschritten, da keinerlei Gratbildung und Schmelzanhaftung erfolgt, und der Wegfall eines liquiden Kühlmediums, welches den Ressourcenverbrauch und gleichzeitig die Wafer-Kontamination reduziert. Darüber hinaus ermöglicht die Laserbearbeitung Freiformkonturen inklusive 3D-Bearbeitung, was insbesondere für die Erzeugung von Kavitäten, Kanälen, geneigten Ebenen und Sacklöchern von großer Bedeutung ist.

Zusammenfassend bietet die UKP-Laserbearbeitung nicht nur eine präzise Lösung für die Herausforderungen der Silizium-Wafer-Bearbeitung, sondern optimiert auch die Effizienz, Nachhaltigkeit und Qualität des gesamten Prozesses.

Vielseitige Einsatzmöglichkeiten der UKP-Lasertechnologie
LCP setzt die UKP-Lasertechnologie seit Jahren erfolgreich für Ihre Kunden für die Mikrobearbeitung aller Materialien ein und kann auf fundiertes Wissen zurückgreifen. Neben der Bearbeitung von Silizium-Wafern sind eine Vielzahl weiterer Anwendungen möglich:
• Schneiden von dünnsten Folien ohne Verzug mit kleinsten Stegbreiten und Schlitzen
• Einbringen von Sollbruchstellen in sprödharte Materialien zur späteren Vereinzelung
• Erzeugung von Mikrostrukturen in schwer ätz- oder spanbaren Werkstoffe
• Strukturierung/Entschichten von beschichteten Bauteilen
• Erstellung definierter Oberflächenstrukturen für spezielle Abformungs-, Haftungs- und Reibeigenschaften
• Einbringen von speziellen Oberflächengeometrien mit geringer Tiefe zur Verbesserung von Reibeigenschaften
• Laserbohren von Mikrolöchern, auch in Mehrfachanordnung
• Schneiden von keramischen und metallischen Werkstoffen ohne thermische Wechselwirkung
• Schneiden von Glas-Wafer aus Materialien wie Borofloat® 33, D 263® T eco, AF 32®, AS87®, MEMpax®, BK7 sowie Quarzglas
• saubere, stressfreie Bearbeitung von Kunststoffen/ Leiterplattenmaterialien (FR3, FR4, FR5, Polyimid, Kapton®/ Pyralux®) ohne Karbonisierung der Schnittkanten